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產(chǎn)品型號(hào)： |
NIBJ-2939 |
產(chǎn)品名稱： |
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 型號(hào)：NIBJ-2939 |
產(chǎn)品報(bào)價(jià)： |
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產(chǎn)品特點(diǎn)： |
該儀器充分吸收國(guó)外測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn)，采用了的嵌入式計(jì)算機(jī)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)、16位并行A/D和D/A、多開爾文反饋、小信號(hào)精密測(cè)試以及陣列開關(guān)結(jié)構(gòu)，并選用材料制作。 |
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NIBJ-2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 型號(hào)：NIBJ-2939的詳細(xì)資料： |
| 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 型號(hào)：NIBJ-2939 | 貨號(hào)：ZH9813 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
該儀器充分吸收國(guó)外測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn)，采用了的嵌入式計(jì)算機(jī)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)、16位并行A/D和D/A、多開爾文反饋、小信號(hào)精密測(cè)試以及陣列開關(guān)結(jié)構(gòu)，并選用材料制作。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)、選材、、制作、調(diào)試、校驗(yàn)等諸多方面與現(xiàn)有同類系統(tǒng)相比均有較大，從而提高了系統(tǒng)的性能和性，了該系統(tǒng)項(xiàng)性能指標(biāo)處于、的地位。
其特點(diǎn)是：側(cè)重于中小功率器件、測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試、速度快、有的重復(fù)性和*性、很高的工作穩(wěn)定性和性，很強(qiáng)的保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件保護(hù)能力。系統(tǒng)軟件功能、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定、硬件故障率低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中項(xiàng)指標(biāo)真實(shí)達(dá)到手冊(cè)要求。
系統(tǒng)采用方便易學(xué)的窗口菜單界面，在PC機(jī)窗口提示下，輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件，測(cè)試人員即可輕松快捷地控制系統(tǒng)，完成填表編程和開發(fā)測(cè)試程序、測(cè)試器件。操作人員具備計(jì)算機(jī)編程語言知識(shí)，使用簡(jiǎn)捷方便。3分鐘即可完成一種測(cè)試編程，編寫完成后輸入儀器即可測(cè)試。當(dāng)然還可以在儀器下直接進(jìn)行器件測(cè)試程序及條件的編寫，方便靈活。系統(tǒng)和測(cè)試夾具均采用多開爾文結(jié)構(gòu)，自動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng)內(nèi)部產(chǎn)生的壓降，種情況下測(cè)試結(jié)果的精度和準(zhǔn)確性。
優(yōu)良的、低廉的價(jià)格、周到的服務(wù)使得該系統(tǒng)在市場(chǎng)具有的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。“的、低端的價(jià)格、周到的、*的客戶服務(wù)”是儀美達(dá)產(chǎn)品對(duì)市場(chǎng)和對(duì)客戶的恒承諾。
特征
采用脈沖法測(cè)試參數(shù)、脈寬可為300μS，國(guó)軍標(biāo)的規(guī)定采用嵌入式計(jì)算機(jī)控制，實(shí)現(xiàn)脫機(jī)運(yùn)行
16位并行D/A、A/D設(shè)計(jì)，測(cè)試速度快、精度高
采用多開爾文，系統(tǒng)穩(wěn)定性高，測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確
采用三保護(hù)，系統(tǒng)，對(duì)被測(cè)器件損傷
豐富的WINDOWS界面菜單編程和控制能力、方便的用戶信息文件、統(tǒng)計(jì)文件方式
晶體三管自動(dòng)NPN和PNP 判別能力，防止選錯(cuò)類型
二管性自動(dòng)判別選擇，用戶測(cè)試二管不注意性
自檢/自校準(zhǔn)能力
測(cè)試系統(tǒng)需要的其它多種數(shù)據(jù)后處理能力
參數(shù)
主電壓：200V
主電流：10mA
控制1電壓：20V
控制1電流：10A
控制2電壓：20V
控制2電流：1A
電壓分辨率：1mV
電流分辨率：1nA
測(cè)試速度：器件不同速度也不同
試器件種類
測(cè)試功能加，可測(cè)試八類中、小功率的半導(dǎo)體分立器件：
二管
穩(wěn)壓（齊納）二管
晶體管（NPN型/PNP型）
可控硅整流器（普通晶閘管）
雙向可控硅（雙向晶閘管）
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（N-溝/P-溝）
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型）
光電耦合器
上述所列類別包括中、小功率半導(dǎo)體分立器件及其組成的陣列、組合、表貼器件。
測(cè)試方法行業(yè)總規(guī)范、相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)、器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
提供上述類器件測(cè)試所用的不同封裝形式的測(cè)試夾具和測(cè)試適配器。
可以定做種陣列、組合封裝、表貼器件的測(cè)試夾具。
幫助用戶開發(fā)種器件的測(cè)試程序。
參數(shù)
漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR（OPTO）
擊穿參數(shù)： BVCEO BVCES（300μS Pulse above 10mA）
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF（Opto-Diode） 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH
鎖定參數(shù)：IL
混合參數(shù)：rDSON、gFS
測(cè)試盒說明：
測(cè)試盒共有五種：
1：可測(cè)二管、穩(wěn)壓二管；
2：可測(cè)封裝為TO-92、TO-220等三個(gè)管腳在一個(gè)平面上的三端器件；
3：可測(cè)封裝為TO-3及封裝為F1、F2、F3、F4三端器件；
4：可測(cè)三個(gè)管腳分三角形排列，且器件殼體為小圓型的小功率三端器件；
5：可測(cè)DIP4、DIP6、DIP8封裝的光電耦合器；
測(cè)試夾具：
測(cè)試夾具有三根夾子線，與測(cè)試盒1配合使用，用來測(cè)試器件形狀，不能使用上述五種測(cè)試盒上的插座，則使用此三個(gè)夾子線直接夾在器件的管腳上進(jìn)行測(cè)試。
表貼器件
其它表貼類型的器件，可根據(jù)實(shí)際器件的封裝定做相應(yīng)的測(cè)試盒。
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| 產(chǎn)品相關(guān)關(guān)鍵字： 國(guó)產(chǎn) |
| 如果你對(duì)NIBJ-2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 型號(hào)：NIBJ-2939感興趣，想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息，填寫下表直接與廠家聯(lián)系： |
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