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產(chǎn)品型號： |
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產(chǎn)品名稱： |
射頻ICP薄膜沉積裝置型號：ZH5495 |
產(chǎn)品報價： |
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產(chǎn)品特點： |
本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。 |
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射頻ICP薄膜沉積裝置型號：ZH5495的詳細(xì)資料： |
射頻ICP薄膜沉積裝置型號：ZH5495
| 貨號：ZH5495 | 產(chǎn)品簡介
本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。
通過本實驗裝置可以掌握CVD（化學(xué)氣相沉積）；理解CVD的成膜過程及要求，化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)的原理，等離子體CV表面粗糙度樣板D的原理、特點及等離子體的激勵方式；了解該在電學(xué)、光學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景。
可開設(shè)的實驗
1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應(yīng)用；
2、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備；
3、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備種功能薄膜。
主要參數(shù)
1、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；尺寸：Φ220×H230mm；
2、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa；
3、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合；射頻源功率：帶500W 13.56MHz；
4、氣路系統(tǒng)：由三路轉(zhuǎn)子流量計控制（可選配流量計）；
5、襯底加熱溫度：燒結(jié)車掃描測溫云臺室溫至300℃可控；
6、平行板電：Φ70mm；
7、工作反應(yīng)氣體：由電板上微孔均勻?qū)耄?br /> 8、真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機(jī)械泵，4L/S，單相220V交流電源供電；
9、管道、閥門：材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管；
10、對過流過壓、斷路等異常情況進(jìn)行報警，并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施；
11、供電電源：AC220V，50Hz，整機(jī)功率2KW。
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| 產(chǎn)品相關(guān)關(guān)鍵字： 射頻ICP薄膜沉積裝置 |
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